15 – 18 апреля 2025 г. в ФТИ им. А.Ф. Иоффе (16 – 18 апреля) и СПб Отделении РАН (15 апреля) прошел 8-й симпозиум «Полупроводниковые лазеры: физика и технология». Симпозиум был посвящен 95-летию Нобелевского лауреата Ж.И. Алферова и памяти выдающегося ученого–физика, внесшего огромный вклад в развитие физики полупроводников, академика Р.А. Суриса.

Первый симпозиум «Полупроводниковые лазеры: физика и технология» состоялся в 2008 году. Бессменным председателем симпозиума, вплоть до своей кончины, являлся академик Ж.И. Алферов. Им же было предложено название симпозиума: "Полупроводниковые лазеры: физика и технология". Симпозиум проводится раз в два года.

В 8-м симпозиуме участвовало 140 человек из Санкт-Петербурга, Москвы, Нижнего Новгорода, Новосибирска, Воронежа, Саратова, Обнинска, Минска, Могилева. Половина участников была моложе 35 лет. Было сделано 59 докладов, из них 36 устных и 23 стендовых. 24 докладчика были моложе 35 лет. Были вручены две Молодежные премии: А.А. Разовой из ИФМ РАН (Нижний Новгород) за устный доклад «Микролазеры инфракрасного диапазона на основе гетероструктур с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe» и П.С. Гавриной из ФТИ им. А.Ф. Иоффе за стендовый доклад «Влияние длины резонатора на уровень пиковой мощности лазеров-тиристоров при генерации импульсов длительностью единицы наносекунд».

В рамках симпозиума был организован круглый стол «III-N дисковые микролазеры на кремнии: от оптической к токовой накачке», в котором участвовали сотрудники как российских, так и белорусских организаций.

Благодарим авторов за сделанные на 8-м симпозиуме «Полупроводниковые лазеры: физика и технология» отличные доклады и всех за участие в симпозиуме.

Фотографии, сделанные 15 апреля во время проведения симпозиума (архив): а) докладчики,  б) дискуссии, в) участники.

Ознакомиться со сборником тезисов можно здесь.