16:00 —18:00 Стендовая секция (ответственный В.В. Золотарев)

Номер стенда Докладчик Название доклада
1 П.В. Вишняков Влияние наклона мезаструктуры на величину поверхностного пробоя в арсенид-галлиевых переключателях тока для генерации мощных лазерных импульсов
2 В.С. Вязанкин Влияние диэлектрического покрытия SiO2 на разупорядочение квантово-размерной области AlGaAs/GaAs
3 П.С. Гаврина Влияние длины резонатора на уровень пиковой мощности лазеров-тиристоров при генерации импульсов длительностью единицы наносекунд
4 А.Е. Гришин Сравнительный анализ аналитических моделей расчета упругих напряжений квантовых ям планарных гетероструктур
5 Б.А. Жмудь Численное моделирование и измерение распределения интенсивности излучения терагерцового квантово-каскадного лазера в области дальнего поля
6    П.Е. Копытов Исследование усилительных свойств активных областей лазеров на основе InGaAs/InAlGaAs сверхрешеток
7 О.К. Кошелева Особенности роста III-N:In/Si гетероструктур методом МПЭ ПА без использования нитридизации подложки и промежуточного AlN зародышевого слоя
8  В.А. Крючков Конструкция структурированного контакта мощных полупроводниковых лазеров для стабилизации латерального дальнего поля
9  А.С. Некрасов Резонатор полупроводникового лазера на основе двумерного фотонного кристалла
10    И.В. Орешко Двумерный фотонный кристалл в волноводной гетероструктуре для вертикального вывода лазерного излучения
11 А.Н. Петрова Влияние условий гальванического осаждения никеля на качество пайки при изготовлении лазерных решеток
12 К.В. Прохорчук Дисковый композитный керамический активный элемент на основе керамики Yb:YAG с многопроходной схемой накачки
13 А.Э. Ризаев Анализ факторов, определяющих стабильность высокочастотной модуляции оптического сигнала на основе одномерных скоростных уравнений
14 Г.И. Рябцев Термооптические процессы в пассивных затворах твердотельных лазеров с поперечной диодной накачкой
15 Я.К. Скасырский Источник УФ-излучения с накачкой электронным пучком на основе микрорезонаторных гетероструктур с множественными квантовыми ямами GaN/AlN, выращенными на профилированных подложках сапфира
16 В.Н. Сойгалов Исследование температурной стабильности излучательных характеристик полупроводниковых лазеров с различной шириной излучающей апертуры, работающих в импульсном режиме
17 А.М. Субботин Асимметричные лазерные гетероструктуры AlGaAs/GaAs с оптически связанными волноводами
18 Б.Д. Урманов Ультрафиолетовые фотоприемники Шоттки на основе гетероструктур AlGaN/GaN
19 Д.А.Фролов Улучшение вольт-амперной характеристики суперлюминесцентных диодов на основе InGaAs/AlGaInAs
20 Е.И. Шабунина Участие возбужденных дефектов в деградации внешней квантовой эффективности светоизлучающих приборов на основе III- нитридов
21 И.С. Шашкин Расчёт влияния угла наклона стенок кремниевых штрихов высококонтрастной дифракционной решётки на её коэффициент отражения
22 И.В. Шушканов Разработка импульсного лазерного модуля суб-нс длительности на длину волны 850 нм
23 А.А. Янцер Вертикально-излучающий лазер на основе гетероструктур с квантовыми ямами HgTe/HgCdTe на длине волны 16 мкм без брэгговских зеркал