ФТИ им А.Ф Иоффе корпус «Туман» (Политехническая 28), зал им. В.Е. Голанта)
| Председатель В.Н. Жмерик | ||
| 10:00 | Д.М. Самосват Влияние встроенного пьезоэлектрического поля и Оже-рекомбинации через глубокие центры на эффективность лазеров и светодиодов на InGaN/GaN |
|
| 10:20 | В.И. Козловский Мощный CdSSe лазер с двухфотонной накачкой |
|
| 10:40 | Я.К. Скасырский Полупроводниковый дисковый лазер на гетероструктуре GaInP/AlGaInP с внутри резонаторной накачкой в квантовые ямы |
|
| 11:00 | А.А. Гайворонская Влияние высокоэнергетических ионов гелия на свойства n-GaN/GaN/c-Al2O3 контактных слоев, выращенных с помощью МПЭ ПА |
|
| 11:20 | Е.В. Луценко Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур III-нитридов для СВЧ, силовой и оптоэлектроники |
|
| 11:50 —13:00 | Обед | |
| Председатель Е.В. Луценко | ||
| 13:00 | В.Н. Жмерик GaN/AlN гетероструктуры с дробно-монослойными квантовыми ямами для мощных источников ультрафиолетового-С излучения |
|
| 13:30 | С.Ю. Карпов Прогресс и проблемы технологии ультрафиолетовых лазерных диодов на основе нитридов III группы |
|
| 14:00 | С.Д. Комаров Лазерная генерация в дисковых микроструктурах InGaN/GaN/AlGaN, выращенных на кремнии |
|
| 14:20 | Вручение молодежных премий | |
| 14:30 | Кофе | |
| 14:45 | Н.В. Крыжановская (ведущая) Круглый стол "III-N дисковые микролазеры на кремнии: от оптической к токовой накачке" |
|
| 17:00 | Закрытие симпозиума | |